一种基于硅通孔的基片集成波导谐振器

专利类型：

申请号/专利号:

CN202111246596.X

申请人（专利权人）:

王凤娟

行业类别:

技术成熟度:

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证书状态:

授权

交易价格：

45000元

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本发明公开了一种基于硅通孔的基片集成波导谐振器，包括相互平行设置的上层RDL和下层RDL，上层RDL与下层RDL之间设有硅基衬底；硅基衬底的中心处分布有由TSV构成的单谐振腔，单谐振腔的四周分别设有由TSV构成的四个增加的谐振腔，上层RDL的相对两侧分别设有输入RDL端口和输出RDL端口。本发明通过改变谐振器结构模型，从而改变该谐振器的中心频率的方法，以实现在太赫兹频段下不同频率的滤波功能。

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