本发明公开了一种具有高阈值电压的SiC MOSFET，在衬底上表面依次外延有耐压外延层、电流扩展外延层；电流扩展外延层上表面间隔嵌有多个第一p阱区，每个第一p阱区中包围有一个第二p阱区；每个第三p阱区对应遮蔽一个第二p阱区下表面；每个第二p阱区上表面嵌有一个n+源区；相邻第一p阱区之间的电流扩展外延层上表面，依次间隔嵌有p+屏蔽区和一个p+发射区；还包括栅氧化层、多晶硅栅及钝化介质层；另外还包括源极/漏极欧姆接触金属、隔离介质层、源极/栅极/漏极PAD金属。本发明还公开了上述SiC MOSFET的制造方法。本发明SiC MOSFET，阈值电压更高，导通特性与阻断特性良好。
