本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3材料的P型双向HHET器件及其制备方法。该方法包括:在选取的衬底材料表面制作FTO导电玻璃;在所述FTO导电玻璃表面制作第一光吸收层;在所述第一光吸收层表面制作第一空穴传输层;在所述第一空穴传输层表面制作源漏电极;在整个衬底表面制作第二空穴传输层;在所述第二空穴传输层表面制备第二光吸收层;在所述第二光吸收层表面制作栅电极,最终形成所述双向HHET器件。本发明通过采用对称的光吸收层,能吸收更多的光产生光生载流子,并采用在透明的蓝宝石生长透明的导电玻璃作为底部栅电极,能实现上下光照都能照射到光吸收层,且采用由CH3NH3PbI3向沟道提供大量的空穴,提高迁移率高,增强传输特性和增加光电转换效率。