本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3/PCBM材料的反射增强互补型HEMT及其制备方法。该方法包括：选取蓝宝石衬底；在衬底下表面形成反射层；在衬底上表面形成隔离区；在衬底上表面形成源漏电极；在衬底上表面沿隔离区一侧的生长电子传输层；在衬底上表面沿隔离区另一侧的生长空穴传输层；在整个衬底上表面生长CH3NH3PbI3/PCBM材料形成光吸收层；在整个衬底上表面生长形成栅电极材料。本发明由CH3NH3PbI3向沟道提供大量的电子或空穴，并在衬底上镀银形成反射层增强光的利用率，形成的HEMT具有迁移率高，开关速度快，光电转换效率大的优点。在光吸收层加入了PCBM材料形成了异质结，能对孔洞和空位的填充，从而产生更大的晶粒和更少的晶界，产生光生载流子，增强器件性能。
