本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3/PCBM材料的反射增强互补型HEMT及其制备方法。该方法包括:选取蓝宝石衬底;在衬底下表面形成反射层;在衬底上表面形成隔离区;在衬底上表面形成源漏电极;在衬底上表面沿隔离区一侧的生长电子传输层;在衬底上表面沿隔离区另一侧的生长空穴传输层;在整个衬底上表面生长CH3NH3PbI3/PCBM材料形成光吸收层;在整个衬底上表面生长形成栅电极材料。本发明由CH3NH3PbI3向沟道提供大量的电子或空穴,并在衬底上镀银形成反射层增强光的利用率,形成的HEMT具有迁移率高,开关速度快,光电转换效率大的优点。在光吸收层加入了PCBM材料形成了异质结,能对孔洞和空位的填充,从而产生更大的晶粒和更少的晶界,产生光生载流子,增强器件性能。