本发明涉及一种双本征Ge阻挡层GeSn合金PIN光电探测器及其制备方法，该方法包括：选取Si衬底；生长Ge籽晶层；生长Ge主体层；生长SiO2层；将整个衬底材料加热至700℃，采用连续激光工艺晶化，激光波长为808nm，光斑尺寸10mm×1mm，功率为1.5kW/cm2，移动速度为25mm/s，形成晶化Ge层；去除SiO2层；连续生长N型Ge层、本征Ge阻挡层、本征GeSn层、本征Ge阻挡层、P型Ge层及Si帽层；刻蚀形成台阶，在整体衬底表面生长Ni材料，刻蚀所述Ni材料，最终形成该光电探测器。采用GeSn材料做光电探测器，其速度快，发光效率高，光谱响应范围广，工艺简单，器件的性能优良；另外，双本征Ge阻挡层实现了GeSn层与掺杂的Ge层的分离，从而减少了掺杂对有源层质量的影响。
