本发明涉及一种双本征Ge阻挡层GeSn合金PIN光电探测器及其制备方法,该方法包括:选取Si衬底;生长Ge籽晶层;生长Ge主体层;生长SiO2层;将整个衬底材料加热至700℃,采用连续激光工艺晶化,激光波长为808nm,光斑尺寸10mm×1mm,功率为1.5kW/cm2,移动速度为25mm/s,形成晶化Ge层;去除SiO2层;连续生长N型Ge层、本征Ge阻挡层、本征GeSn层、本征Ge阻挡层、P型Ge层及Si帽层;刻蚀形成台阶,在整体衬底表面生长Ni材料,刻蚀所述Ni材料,最终形成该光电探测器。采用GeSn材料做光电探测器,其速度快,发光效率高,光谱响应范围广,工艺简单,器件的性能优良;另外,双本征Ge阻挡层实现了GeSn层与掺杂的Ge层的分离,从而减少了掺杂对有源层质量的影响。