本发明涉及一种基于Ga2O3材料的复合型双栅高速PMOS器件及其制备方法。该方法包括：选取N型半绝缘衬底，采用分子束外延生长N型β‑Ga2O3层；采用干法刻蚀形成台面，在台面两侧位置处采用离子注入工艺形成源区和漏区；在N型β‑Ga2O3衬底位于源区和漏区的两个斜面位置处形成源电极和漏电极；在N型β‑Ga2O3台面另外两个斜面处利用磁控溅射工艺在靠近源区侧形成第一栅介质层；在N型β‑Ga2O3衬底另外两个斜面处利用磁控溅射工艺在靠近漏区侧形成第二栅介质层以形成复合型双栅介质层；在复合型双栅介质层表面形成栅电极。本发明基于Ga2O3材料，通过采用两种不同介电常数的材料作为复合型栅氧化层以传输空穴阻挡电子提高传输速率。
