本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3材料的互补型HEMT及其制备方法。该方法包括：选取衬底材料；采用第一掩膜版在所述衬底材料表面生长隔离槽；采用第二掩膜版在所述衬底材料表面形成源漏电极；采用第三掩膜版在所述隔离槽一侧的所述衬底材料表面生长电子传输层；采用第四掩膜版在所述隔离槽另一侧的所述衬底材料表面生长空穴传输层；采用第五掩膜版在整个衬底表面生长CH3NH3PbI3材料作为光吸收层；采用第六掩膜版在整个衬底表面生长形成栅电极材料，以完成所述基于CH3NH3PbI3材料的互补型HEMT的制备。本发明实施例采用电子传输层传输电子阻挡空穴，空穴传输层传输空穴阻挡电子，并采用CH3NH3PbI3向沟道提供大量的电子或空穴，制备的HEMT具有迁移率高，开关速度快，光电转换效率大的优点。
