本发明涉及一种基于GeSiC选择外延的直接带隙改性Ge材料及其制备方法。该制备方法包括：选取Si衬底；生长第一Ge层；生长第二Ge层；利用刻蚀工艺对第二Ge层进行刻蚀形成位于中间位置的多个Ge台阶；在第二Ge层表面淀积Si3N4材料，选择性刻蚀Si3N4材料，保留多个Ge台阶的Si3N4材料形成Si3N4阻挡层；在第二Ge层表面利用化学气相淀积法生长Ge0.73Si0.24C0.03合金材料；去除Si3N4阻挡层，以形成直接带隙改性Ge材料。本发明提供了一种Ge1‑x‑ySixCy选择外延致Ge直接带隙半导体的实现方法，由于Ge的晶格常数大于Ge1‑x‑ySixCy的晶格常数，因此利用晶格失配致应力原理，在刻蚀出的Ge四周选择性外延Ge1‑x‑ySixCy，将对中心区域Ge半导体引入双轴张应力。
