本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3材料的CMOS器件及其制备方法，该方法包括：选取Si衬底；在Si衬底表面生长栅介质层；在栅介质层表面刻蚀隔离沟槽；在隔离沟槽两侧分别生长电子传输层和空穴传输层；在电子传输层和空穴传输层表面生长CH3NH3PbI3材料形成光吸收层；在Si衬底下表面溅射Al材料形成背电极；在传输层表面生长Au材料形成源漏电极，最终形成CMOS器件。由于本发明的CMOS器件采用电子传输层传输电子阻挡空穴，采用空穴传输层传输空穴阻挡电子，克服了现有技术中采用CH3NH3PbI3材料的CMOS器件中电子空穴复合，光电转换效率低的缺点。CMOS器件采用由CH3NH3PbI3材料向沟道提供大量的电子和空穴，形成N型和P型的MOS器件，具有驱动功率小，开关速度快，光电转换效率大的优点。
