本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3材料的P型HHMT晶体管及其制备方法。该方法包括:选取Al2O3材料作为衬底材料;采用第一掩膜版在所述衬底材料表面形成源漏电极;在所述衬底材料及所述源漏电极表面生长空穴传输层;采用第二掩膜版在所述空穴传输层表面生长CH3NH3PbI3材料形成光吸收层;采用第三掩膜版在所述光吸收层表面生长形成栅电极材料,以完成所述P型HHMT晶体管的制备。本发明实施例采用空穴传输层传输空穴阻挡电子,并采用CH3NH3PbI3向沟道提供大量的空穴,制备出的P型HHMT晶体管具有迁移率高,开关速度快,光电转换效率大的优点。