基于CH3NH3PbI3材料的NMOS器件及其制备方法

专利类型：

申请号/专利号:

CN201610763995.6

申请人（专利权人）:

贾仁需

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证书状态:

授权

交易价格：

50000元

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本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3材料的NMOS器件及其制备方法，该方法包括：选取Si衬底；在Si衬底表面生长栅介质层；在栅介质层表面生长电子传输层；在电子传输层表面生长CH3NH3PbI3材料形成光吸收层；在电子传输层表面生长Au材料形成源漏电极，最终形成NMOS器件。由于本发明的晶体管采用电子传输层传输电子阻挡空穴，克服了现有技术中采用CH3NH3PbI3的MOSFET光电场效应晶体管中电子空穴复合，光电转换效率低的缺点，即晶体管采用由CH3NH3PbI3向沟道提供大量的电子，形成n型MOSFET光电场效应晶体管，具有驱动功率小，开关速度快，光电转换效率大的优点。