基于CH3NH3PbI3材料的PMOS器件及其制备方法

专利类型：

申请号/专利号:

CN201610753311.4

申请人（专利权人）:

贾仁需

行业类别:

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证书状态:

授权

交易价格：

50000元

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本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3材料的PMOS器件及其制备方法，该方法包括：选取Si衬底；在Si衬底表面生长栅介质层；在栅介质层表面生长空穴传输层；在空穴传输层表面生长CH3NH3PbI3材料形成光吸收层；在Si衬底下表面溅射Al材料形成背电极；在空穴传输层表面生长Au材料形成源漏电极，最终形成PMOS器件。由于本发明的PMOS器件采用空穴传输层传输空穴阻挡电子，克服了现有技术中采用CH3NH3PbI3的PMOS器件中电子空穴复合，光电转换效率低的缺点，即PMOS器件利用CH3NH3PbI3材料向沟道提供大量的空穴，形成的PMOS器件具有驱动功率小，开关速度快，光电转换效率大的优点。