本发明涉及一种SiGe选择外延致Ge准直接带隙半导体材料及其制备方法。该制备方法包括：选取Si衬底；生长第一Ge层；生长第二Ge层；在第二Ge层表面涂抹光刻胶，采用光刻工艺曝光光刻胶，保留第二Ge层表面中心位置处的光刻胶；刻蚀一定厚度的第二Ge层形成Ge台阶；在第二Ge层表面生长SiGe层；对Ge台阶进行离子注入形成N型Ge台阶形成SiGe选择外延致Ge准直接带隙半导体材料。基于低温‑高温两步生长法制备Ge材料，并利用选择性外延SiGe引入张应力，制备的准直接带隙Ge晶体质量高，且载流子复合效率高，能够应用于光子器件，在制备工艺上优势明显。
