本发明涉及一种直接带隙Ge沟道CMOS集成器件及其制备方法。该制备方法包括：选取Si衬底；生长第一Ge层；生长第二Ge层；形成浅沟槽隔离；注入B离子形成NMOS有源区；生长栅介质层和栅极层，刻蚀形成PMOS栅极和NMOS栅极；形成栅极保护层；刻蚀第二Ge层、所述PMOS栅极和NMOS栅极位置处形成Ge台阶；生长Si0.5Ge0.5层；去除栅极保护层，利用离子注入工艺形成PMOS源漏极和NMOS源漏极；淀积金属形成接触区，最终形成CMOS器件。本发明实现的Ge改性方式即直接带隙Ge作为沟道的CMOS器件制备，增加了CMOS器件的载流子迁移率，同时还具备单片光电集成的优势。
