本发明公开了一种SiGe/Ge/SiGe双异质结激光器及其制备方法。方法包括：在Si衬底的表面形成p型Si1‑xGex层；在p型Si1‑xGex层的表面形成SiN层；将SiN层的中间区域刻蚀掉，使两端的SiN层和底部的p型Si1‑xGex层形成一凹槽；在凹槽内形成n型Ge层，且n型Ge层的厚度与SiN层的厚度相同；在SiN层表面和n型Ge层的表面形成n型Si1‑xGex层；在n型Si1‑xGex层的表面形成Si帽层；在Si帽层上形成电极。本发明的SiGe/Ge/SiGe双异质结激光器又具有较高的光电转换效率和较低的阈值电流密度，光稳定性好；其制备方法既能够兼容CMOS工艺，加工简单、方便，为实现片上光源提供一个具体的结构和实施方案。
