本发明涉及一种基于隧穿效应的钙钛矿光电器件及其制备方法，所述制备方法包括：选取Si衬底；在所述Si衬底的一侧表面沉积金属材料形成下电极；在所述Si衬底的另一侧表面沉积HfO2形成隧穿层；在所述隧穿层上沉积CH3NH3PbI3形成光吸收层；在所述光吸收层上沉积金属材料形成上电极，形成基于隧穿效应的钙钛矿光电器件。所述钙钛矿光电器件依次包括上电极、CH3NH3PbI3光吸收层、HfO2隧穿层、Si衬底和下电极。本发明的钙钛矿光电器件在Si衬底与CH3NH3PbI3之间包括HfO2隧穿层，结构和制备工艺简单，减少光生电子与光生空穴的复合，增大光电流，提高光电器件的灵敏度和效率。
