本发明涉及一种SiGeC应力引入的直接带隙Ge沟道PMOS器件及其制备方法。该制备方法包括：选取单晶Si衬底；生长第一Ge层；生长第二Ge层；连续生长栅介质层和栅极层，选择性刻蚀工艺刻蚀所述栅介质层和所述栅极层形成栅极；在栅极表面形成栅极保护层；刻蚀所述第二Ge层在所述PMOS栅极位置处形成Ge台阶；采用外延工艺在所述第二Ge层表面生长Si0.24Ge0.73C0.03层；去除所述栅极保护层，利用离子注入工艺形成PMOS源漏极，最终形成PMOS器件。本发明将直接带隙Ge材料作为PMOS器件的沟道可以提升PMOS器件沟道载流子迁移率，提升电流驱动能力，使PMOS器件具有工作速度高、频率特性好的优点。同时，本发明所提出的直接带隙Ge PMOS还具有单片光电集成的优势。
