本发明涉及一种高功率PiN二极管及其制备方法，所述制备方法包括：选取SOI衬底；刻蚀SOI衬底以在待制备的PiN二极管两侧形成第一有源区沟槽和第二有源区沟槽；在第一有源区沟槽和第二有源区沟槽的第一指定区域分别形成第一P区和第二P区；在第一有源区沟槽和第二有源区沟槽的第二指定区域分别形成第一N区和第二N区；对包括SOI衬底、第一P区、第二P区、第一N区及第二N区的整个器件进行表面平整化处理；在第一有源区沟槽和第二有源区沟槽的第三指定区域制作引线以完成所述PiN二极管的制备。本发明提供的高功率PiN二极管，采用两层沟槽设计，本征区内的载流子分布更加均匀，极大地改善了器件性能。
