本发明涉及一种固态等离子PIN二极管。该器件包括SOI衬底(101)；第一P区台阶(102)、第一N区台阶(103)、第二P区台阶(104)、第二N区台阶(105)、第三P区台阶(106)及第三N区台阶(107)，分别设置于SOI衬底(101)内并位于SOI衬底(101)的两侧；其中，第二P区台阶(104)及第二N区台阶(105)分别位于第一P区台阶(102)及第一N区台阶(103)的下侧；第三P区台阶(106)及第三N区台阶(107)分别位于第二P区台阶(104)及第二N区台阶(105)的下侧。本发明通过在SOI衬底上制备多个台阶形成多层沟道，利用两个沟道内高浓度载流子的叠加作用使得整个本征区内载流子浓度达到均匀，从而提高了横向PIN二极管的功率密度，增强了PIN二极管的固态等离子体特性。
