本发明涉及一种基于Ga2O3材料的帽层复合双栅PMOSFET及其制备方法。该方法包括：选取N型半绝缘衬底，采用分子束外延生长N型β‑Ga2O3层，采用干法刻蚀形成台面；在台面两侧位置处采用离子注入工艺形成源区和漏区；在靠近源区和漏区的两侧位置处形成源电极和漏电极；在台面另外两侧的斜面位置处利用磁控溅射工艺在靠近源区侧形成第一、第二栅介质层；在第一、第二栅介质层表面形成盖帽层；在盖帽层表面形成栅电极。本发明通过采用两种不同介电常数的材料作为复合型栅氧化层以传输空穴阻挡电子提高传输速率，并采用较薄的盖帽层，通过高温工艺在栅氧化层/Ga2O3界面处形成偶极子层，实现带边功函数的调节，提高器件的可靠性。
