本发明公开了一种Ge/GeSn异质结激光器及其制备方法。该方法包括：在衬底的表面生长第一布拉格反射镜层；在第一布拉格反射镜层的表面生长第一n型Ge层；在第一n型Ge层的表面生长第二n型Ge层；在第二n型Ge层的表面生长GeSn层；在GeSn层的表面生长第一p型Ge层；在第一p型Ge层的表面生长第二p型Ge层；在第二p型Ge层的表面生长第二布拉格反射镜层；在得到的结构上刻蚀出第一柱体和第二柱体；在第一台阶及所述第二台阶形成电极；最终形成Ge/GeSn异质结激光器。本发明通过采用GeSn材料代替传统的单一Ge材料，提高了发光效率；通过采用P‑I‑N结构降低了阈值电流密度；另外，本发明的制备方法工艺简单。
