本发明涉及一种基于4H‑SiC衬底异质结自旋场效应晶体管及其制造方法，该方法包括：选取4H‑SiC衬底；利用MBE工艺在4H‑SiC衬底表面生长Ga2O3外延层；利用离子注入工艺在Ga2O3外延层形成源区和漏区；在源区和漏区分别形成源区欧姆接触电极和漏区欧姆接触电极；在Ga2O3外延层生长氧化层，刻蚀形成栅区；利用磁控溅射工艺在栅区表面形成肖特基接触栅电极，最终形成所述基于4H‑SiC衬底异质结自旋场效应晶体管，最终形成所述基于4H‑SiC衬底异质结自旋场效应晶体管。本发明源漏区采用选择区域离子注入Fe离子的方式形成，具有与常规工艺兼容，制造简单，表面效应小的优点，同时可提高自旋注入与接收效率。
