本发明涉及一种基于沟道晶向选择的压应变Si CMOS器件及其制备方法。该制备方法包括：选取Si衬底；生长弛豫SiC外延层；生长应变Si层；形成浅槽隔离；采用离子注入工艺形成N型阱区和P型阱区；在应变Si层表面连续生长栅介质层和栅极层，并利用刻蚀工艺刻蚀栅极层和栅介质层分别形成栅极；利用自对准工艺形成PMOS源漏区和NMOS源漏区；在源漏区形成源漏接触，最终形成CMOS器件。本发明解决了传统弛豫Si1‑xGex衬底致双轴应变Si材料空穴迁移率增强效果差的问题，并采用低电导率有效质量的[110]晶向作为双轴应变Si/(001)Si1‑xCx PMOS沟道晶向，高电子迁移率的[100]晶向作为双轴应变Si/(001)Si1‑xCxNMOS沟道晶向，将显著提升双轴应变Si/(001)Si1‑xCx材料的迁移率以及器件的性能。
