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一种自供电双波段紫外光电探测器件及其制备方法

专利类型:
申请号/专利号:
CN201810900339.5
申请人(专利权人):
贾仁需
行业类别:
技术成熟度:
公布时间:
证书状态:
授权
交易价格:
50000元
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摘要详情

技术摘要

权利要求书

技术附图

交易流程

委托经理人

本发明涉及一种自供电双波段紫外光电探测器件及其制备方法,制备方法包括:选取衬底;在衬底表面生长光吸收层;在光吸收层表面形成非对称的叉指电极。本发明提供的自供电双波段紫外光电探测器件具有(InxGa1‑x)2O3材料形成的光吸收层,在不同In组份的情况下,(InxGa1‑x)2O3材料的光学带隙发生变化(4.9~8.9eV),在高In组份的情况下,(InxGa1‑x)2O3材料发生相的分离,产生两个光学带隙,对两个紫外光谱范围产生感应,从而实现双波段光信号的探测;非对称的叉指电极的势垒高度不一样,从而实现器件的自供电特性。

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