本发明涉及一种新型肖特基接触注入增强型SiC PNM‑IGBT器件其制备方法。该制备方法包括：在SiC衬底连续生长过渡层、第一漂移层、缓冲层、集电层；刻蚀第一漂移层形成第一沟槽，淀积第一氧化层；生长第二漂移层；在第二漂移层上生长P型阱区，在P型阱区形成P+掺杂区、P接触区和N+发射区；刻蚀制备第二沟槽，形成埋氧化层；在第二沟槽生长第二氧化层，淀积多晶硅；淀积金属层分别形成发射极欧姆接触电极、发射极肖特基接触电极和集电极接触电极。本发明在槽栅两侧引入埋氧化层，和在发射极引入肖特基接触电极增强了电导调制效应，降低了导通电阻，并不会导致关断时间明显增大，且在工艺上与现有工艺兼容。
