本发明涉及一种基于直接带隙改性Ge沟道的PMOS器件及其制备方法。该制备方法包括：选取单晶Si衬底；生长第一Ge层；生长第二Ge层；连续生长栅介质层和栅极层；利用选择性刻蚀工艺刻蚀指定区域的栅介质层和栅极层形成栅极；在栅极表面形成牺牲保护层；利用刻蚀工艺对第二Ge层进行刻蚀在栅极位置处形成Ge台阶；在第二Ge层表面生长SiGe层；去除牺牲保护层以形成PMOS器件。本发明将直接带隙Ge材料作为PMOS器件的沟道，能显著提高空穴迁移率和器件驱动电流。而且，直接带隙Ge材料还可应用于光子器件有源层，因此，本发明提出的直接带隙Ge PMOS还具备单片光电集成的优势。
