本发明涉及集成电路领域，公开了一种集成肖特基二极管的U型源槽VDMOSFET器件，其特征在于，包括：衬底(8)；漏极(9)，设置在所述衬底(8)下方；N‑漂移区(7)，设置在所述衬底(8)上方；源极(4)，设置在所述N‑漂移区(7)上方；N+源区(5)，设置在所述源极(4)两侧的所述N‑漂移区(7)中；P型基区(6)，设置在所述N‑漂移区(7)内部；栅源隔离层(3)，设置在所述N+源区(5)上方；栅介质(2)，栅极(10)；所述源极(4)与所述N‑漂移区(7)的界面为肖特基接触。所述器件能够提高器件性能的可靠性，并降低设计的复杂性和成本。
