本发明涉及一种SiGe基固态等离子体PiN二极管及其制备方法,该制备方法包括:选取某一晶向的SiGeOI衬底,在SiGeOI衬底上设置隔离区;刻蚀所述衬底形成P型沟槽和N型沟槽,P型沟槽和N型沟槽的深度小于衬底的顶层SiGe的厚度;在P型沟槽和N型沟槽内采用离子注入形成第一P型有源区和第一N型有源区;填充P型沟槽和N型沟槽,并采用离子注入在衬底的顶层SiGe内形成第二P型有源区和第二N型有源区;在衬底上形成引线,以完成SiGe基固态等离子体PiN二极管的制备。本发明实施例利用深槽隔离技术及离子注入工艺能够制备并提供适用于形成固态等离子天线的高性能SiGe基固态等离子体PiN二极管。