本发明涉及一种基于金刚石/InP/SiC双异质结的光电探测二极管及其制备方法，所述方法包括：在SiC衬底的上表面连续生长同质外延层、InP层以及金刚石层；在所述金刚石层的上表面生长第一金属材料，形成光吸收层；在所述SiC衬底的下表面生长第二金属材料，形成底电极；在所述光吸收层的上表面生长第三金属材料，形成顶电极，从而制备出所述基于金刚石/InP/SiC双异质结的光电探测二极管。本发明基于金刚石/InP/SiC双异质结的光电探测二极管及其制备方法将金刚石材料应用于光吸收层，该材料在日盲区的光透率极高，有利于提高光吸收层的光吸收能力，能够大幅提高光电探测二极管的器件性能。
