本发明公开了一种基于P‑GaN帽层和浮空金属环复合结构的AlGaN/GaN异质结肖特基二极管器件，包括衬底、依次设置在衬底上的GaN缓冲层和沟道层、AlGaN势垒层和钝化层，其中，AlGaN势垒层上表面的相对两侧分别设置有阳极和阴极，阳极与阴极之间的AlGaN势垒层上设置有至少一个组合结构，组合结构包括第一P型GaN帽层、第二P型GaN帽层和浮空金属环；第一P型GaN帽层和第二P型GaN帽层间隔设置在AlGaN势垒层上，浮空金属环覆盖在第一P型GaN帽层和第二P型GaN帽层的上表面以及第一P型GaN帽层和第二P型GaN帽层之间的AlGaN势垒层上。该器件采用P‑GaN帽层与浮空金属环结合的结构，抑制电场集中效应，减弱了峰值电场，使得电场横向分布更加均匀，从而反向提高击穿电压。
