技术摘要

权利要求书

技术附图

交易流程

委托经理人

本发明涉及一种用于空气隙同轴硅通孔的宽频带建模方法，包括如下步骤：获取空气隙同轴硅通孔的基础参数；根据所述基础参数计算等效导纳和等效阻抗；根据所述等效导纳和所述等效阻抗建立等效电路模型；对所述等效电路模型进行验证。本发明实施例在建立等效电路模型的过程中，综合考虑了衬底涡流损耗、电流趋肤效应、MIS寄生电容效应，所建立的模型可以在100MHz‑100GHz频率范围内精确分析TSV信号传输特性并进行优化，可以实际反应出CTSV的传输特性。

一种用于空气隙同轴硅通孔的宽频带建模方法

摘要详情

技术摘要

权利要求书

技术附图

交易流程

委托经理人

同类信息

我要咨询