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一种应用于单光子雪崩二极管的快速有源淬灭电路

专利类型:
申请号/专利号:
CN201910528611.6
申请人(专利权人):
刘马良
行业类别:
技术成熟度:
公布时间:
证书状态:
授权
交易价格:
50000元
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摘要详情

技术摘要

权利要求书

技术附图

交易流程

委托经理人

本发明属于光电探测技术领域,具体涉及一种应用于单光子雪崩二极管的快速有源淬灭电路,包括单光子雪崩二极管SPAD和高压电压端HVDD,单光子雪崩二极管SPAD的阴极与高压电压端HVDD连接,用于产生雪崩电流脉冲;还包括:淬灭复位单元,与单光子雪崩二极管SPAD连接,用于淬灭并复位单光子雪崩二极管SPAD,并根据雪崩电流脉冲产生脉冲电压信号;电源单元VDD,用于为淬灭复位单元与提供电源。本发明具有淬灭和复位速度极快、结构简单的有益效果。

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