本发明涉及一种GaN器件电应力可靠性的测试方法，包括：对GaN器件进行电容‑电压测试，得到第一测试数据；对所述GaN器件施加电应力；对施加电应力后的所述GaN器件进行电容‑电压测试，得到第二测试数据；根据所述第一测试数据获取第一栅下界面态物理参数，根据所述第二测试数据获取第二栅下界面态物理参数；对比所述第一栅下界面态物理参数与所述第二栅下界面态物理参数，得到对比结果。本发明实施例通过对GaN器件施加电应力，由测试数据通过预设方法获取电应力前后栅下界面态密度、陷阱能级和时常数，反映了GaN器件栅下界面态的物理特性，得到电应力对器件内部陷阱的影响状况，从而得到GaN器件电应力可靠性的情况。
