本发明涉及一种基于转移技术的高导热N面GaN外延结构的制作方法，包括步骤：S1.选取衬底；S2.在所述衬底上依次生长AlN成核层、GaN缓冲层，AlN插入层以及AlGaN势垒层；S3.在所述AlGaN势垒层上生长金刚石层；S4.依次去除所述衬底、所述AlN成核层和所述GaN缓冲层的第一部分，其中所述GaN缓冲层包括第一部分和第二部分，所述第二部分为GaN层；S5.处理所述GaN层的表面，得到N面GaN外延结构。该外延结构采用转移取代直接生长，克服了较为困难的生长工艺；该器件采用金刚石作为器件衬底，具有良好的导热能力。
