本发明涉及一种具有高散热结构的N面GaN HEMT器件及制作方法，包括步骤：选取衬底；在衬底上依次生长AlN成核层、GaN缓冲层，AlN插入层以及AlGaN势垒层；在所述AlGaN势垒层上生长金刚石层；依次去除所述衬底、所述AlN成核层，并对所述GaN缓冲层进行刻蚀；在所述GaN上制作源电极和漏电极；对所述GaN进行有源区台面隔离；在所述源电极、所述漏电极和所述GaN上制作钝化层；在所述GaN上制作栅电极，得到N面GaN HEMT器件。该器件采用转移取代直接生长，克服了较为困难的生长工艺；该器件采用金刚石作为器件衬底，具有良好的导热能力。
