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本发明涉及一种基于台状有源区的固态等离子体PiN二极管及其制备方法。该制备方法包括：(a)选取SOI衬底；(b)刻蚀SOI衬底形成台状有源区；(c)对所述台状有源区四周利用原位掺杂工艺分别淀积P型Si材料和N型Si材料形成P区和N区；(d)在所述台状有源区四周淀积多晶Si材料；(e)在所述多晶Si材料表面制作引线并光刻PAD以形成所述固态等离子体PiN二极管。本发明实施例利用原位掺杂工艺能够制备并提供适用于形成固态等离子天线的高性能基于台状有源区的固态等离子体PiN二极管。

基于台状有源区的固态等离子体PiN二极管及其制备方法

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