欧姆接触结构制备工艺及结构

专利类型：

申请号/专利号:

CN201710583815.0

申请人（专利权人）:

张艺蒙

行业类别:

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证书状态:

授权

交易价格：

50000元

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委托经理人

本发明涉及一种欧姆接触结构制备工艺，包括：(a)制备SiC衬底层和SiC外延层；(b)在所述SiC外延层上淀积多层金属形成金属层，所述多层材料依次包括第一Ni层、Ti层、Al层、第二Ni层、TaSi2层和Pt层；(c)将所述金属层进行退火处理以完成所述欧姆接触结构的制备。本发明欧姆接触，制备的欧姆接触结构比接触电阻低，热稳定性良好，抗氧化。

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