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本发明涉及一种Mn掺杂异质结自旋场效应晶体管的制备方法，该方法包括：选取蓝宝石衬底；在蓝宝石衬底表面生长Ga2O3外延层；在Ga2O3外延层注入Mn离子形成源区和漏区；对Ga2O3外延层进行涂胶、显影，在源区和漏区表面制作欧姆接触源极和漏极；利用等离子体增强化学气相淀积法在Ga2O3外延层表面生长隔离层；在Ga2O3外延层表面制作肖特基接触栅电极；通过本发明制备的晶体管，可通过调节离子注入的剂量和退火时间改变源漏材料中的掺杂浓度和缺陷浓度，从而优化室温下材料的自旋极化率。

Mn掺杂异质结自旋场效应晶体管的制备方法

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