本发明涉及一种基于非极性InAlN/GaN异质结构的辐照探测器及其制备方法，所述制备方法包括：在衬底上生长成核层；在所述成核层上生长非极性GaN缓冲层；在所述非极性GaN缓冲层上生长非极性GaN沟道层；在所述非极性GaN沟道层上生长插入层；在所述插入层上生长非极性InAlN势垒层；依次对所述非极性InAlN势垒层、所述插入层、所述非极性GaN沟道层进行刻蚀，然后在所述非极性GaN沟道层上制备阴阳电极，最终完成所述辐照探测器的制备。通过这种制备方法，可以得到一种基于非极性InAlN/GaN异质结构的辐照探测器，该类型探测器利用III族氮化物异质结构沟道内二维电子气高迁移率和高限域性的特点，具有很高的灵敏度和探测效率。
