本发明涉及一种基于同轴硅通孔阵列的互补型三维宽带电容器，包括自上而下依次设置的顶部平板电容器、半导体衬底层和底部平板电容器，其中，所述半导体衬底层上设置有贯通上下表面的多个同轴硅通孔结构；所述顶部平板电容器通过所述多个同轴硅通孔结构与所述底部平板电容器连接；所述顶部平板电容器包括所述互补型三维宽带电容器的上引出端；所述底部平板电容器包括所述互补型三维宽带电容器的下引出端。本发明的互补型三维宽带电容器采用先进的三维单片集成结构，占用芯片面积小、大幅提高了电场储存面积，获得远高于普通平面集成电路的电容密度。
