本发明涉及一种非极性InAlN/GaN高电子迁移率晶体管及制备方法，制备方法包括：在衬底上生长成核层材料，形成成核层；在成核层上以第一条件生长GaN，形成非极性缓冲层；在非极性缓冲层上以第二条件生长GaN，形成非极性沟道层；在非极性沟道层上生长InAlN，形成非极性势垒层；在非极性沟道层和非极性势垒层内制作源极和漏极，在非极性势垒层上制作栅极，得到非极性InAlN/GaN高电子迁移率晶体管。本发明实施例的非极性InAlN/GaN高电子迁移率晶体管的制备方法形成了非极性沟道层和非极性势垒层，从而形成非极性异质结构，非极性异质结构能够对自发极化及压电极化进行调制，从而抑制沟道内高密度极化电荷的产生，实现增强型效果。
