本发明涉及一种LED芯片的制造方法及LED芯片，其中，LED芯片的制造方法包括：步骤1、选取衬底(11)；步骤2、在衬底(11)上生长蓝光外延层；步骤3、制备红光灯芯槽；步骤4、在红光灯芯槽内生长红光外延层；步骤5、制备绿光灯芯槽；步骤6、在绿光灯芯槽内生长绿光外延层；步骤7、在蓝光外延层、红光外延层和绿光外延层的上表面设置增透膜；步骤8、制备电极。本发明实施例通过将蓝光外延层、红光外延层以及绿光外延层生长在一个衬底上，可以直接混合发出白光，提高了出光效率，而且将三色外延层直接继承在一个衬底上，提高了芯片集成度，而无需将多个芯片集成在一起，降低了产品生产成本，而且也降低了芯片封装的难度。
