本发明涉及一种P‑GaN帽层的FinFET增强型器件及制作方法，包括步骤：在基片上依次生长GaN层和AlGaN势垒层形成AlGaN/GaN异质结；在异质结上生长P‑GaN帽层；对异质结进行台面隔离和刻蚀，形成栅鳍；在P‑GaN帽层以及异质结表面形成栅极区掩膜图形，刻蚀除栅极区掩膜图形以外的P‑GaN帽层；在异质结两侧制作源、漏电极；在P‑GaN帽层的区域淀积栅金属，形成FinFET栅结构栅电极，其中，栅金属覆盖在P‑GaN帽层顶部及侧壁，覆盖异质结的侧壁；制作电极引线。该器件及制作方法采用P‑GaN帽层结构，结合三维栅控的FinFET结构，增强器件的跨导和栅控能力，提高了器件的阈值电压和稳定性。
