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本发明提供一种垂直功率器件及其制作方法，所述垂直功率器件包括依次设置的漏极金属衬底、第一n+GaN接触层、n+GaN过渡层、n‑GaN渡越层、n‑GaN沟道层；所述n‑GaN沟道层的两侧、以及述n‑GaN渡越层上沟道区以外的区域设置有P‑GaN层；所述n‑GaN沟道层两侧、P‑GaN层外侧设置有栅电极；所述P‑GaN层和栅电极上设置有介质层；所述n‑GaN沟道层上设置有第二n+GaN接触层；所述介质层和第二n+GaN接触层上设置源电极。

一种垂直功率器件及其制作方法

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