本发明涉及一种基于悬浮场板的自对准栅氮化镓增强型垂直功率器件，包括：漏极；自支撑Si掺杂GaN衬底，位于漏极上；n型GaN层，位于自支撑Si掺杂GaN衬底上；n型GaN渡越层，位于n型GaN层上；n型GaN沟道层，位于n型GaN渡越层上；第一介质层，位于n型GaN渡越层上；栅极，位于n型GaN渡越层上；第二介质层，位于n型GaN渡越层上；悬浮场板，位于第二介质层上；n型GaN接触层，位于n型GaN沟道层上；源极，位于n型GaN接触层上。本发明实施例通过采用环形自对准栅结构、悬浮场板与n型掺杂材料的有机结合，实现了高击穿电压、低导通电阻和高可靠性的垂直功率器件。
