本发明涉及一种非极性InAlN/GaN高电子迁移率晶体管及制备方法，其制备方法包括步骤：S1、选取非极性GaN材料作为衬底；S2、在衬底上生长GaN，形成非极性沟道层；S3、在非极性沟道层上生长InAlN，形成非极性势垒层；S4、在非极性沟道层和非极性势垒层内制作源极和漏极，在非极性势垒层上制作栅极，得到非极性InAlN/GaN高电子迁移率晶体管。本发明实施例的非极性InAlN/GaN高电子迁移率晶体管的制备方法在一定工艺条件下，形成了非极性的沟道层和势垒层，非极性沟道层和非极性势垒层形成非极性异质结构，非极性异质结构能够对自发极化及压电极化进行调制，从而抑制沟道内高密度极化电荷的产生，实现增强型效果。
