本发明涉及一种基于沟道晶向选择的压应变Si PMOS器件及其制备方法。该制备方法包括：选取晶面为(001)的单晶Si衬底；在单晶Si衬底表面生长弛豫SiC外延层；在弛豫SiC外延层表面生长应变Si层；在应变Si层表面连续生长栅介质层和栅极层，并利用刻蚀工艺刻蚀栅极层和栅介质层形成栅极；利用自对准工艺在异于栅极区的器件表面进行P型离子注入形成源极和漏极；在器件表面进行钝化处理后形成基于沟道晶向选择的压应变SiPMOS器件。本发明解决了传统弛豫Si1‑xGex衬底致双轴应变Si材料空穴迁移率增强效果差的问题。同时，采用低电导率有效质量的[110]晶向作为双轴应Si/(001)Si1‑xCx PMOS沟道晶向，显著提升双轴应变Si/(001)Si1‑xCx材料的迁移率以及器件的性能。
