本发明公开了一种集成金属氧化物半导体的混合PiN肖特基二极管,包括:N+衬底层;漂移层,位于N+衬底层上;P型区,包括:沟槽底部P型区和沟槽侧壁P型区,沟槽侧壁P型区侧边与沟槽第一侧壁、沟槽底部P型区侧边贴合;二氧化硅层,包括:纵向二氧化硅层和横向二氧化硅层,横向二氧化硅层设置沟槽上,与沟槽第二侧壁贴合,纵向二氧化硅层设置横向二氧化硅层上,与沟槽第二侧壁贴合;金属层,位于漂移层表面、P型区、二氧化硅层上,部分金属层与二氧化硅层、漂移层形成金属氧化物半导体;金属区域,位于金属层表面。本发明采用P型区半沟槽结构,且在二氧化硅层形成金属氧化物半导体,在正向导通电阻减小的同时,漏电流减小,击穿特性改善。